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最新・パワーモジュール組立・実装技術★徹底解説

  • 日時:2017/04/21(金)  11:00~17:00
  • セミナー番号:T170421
  • 主催:トリケップス
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本セミナーの趣旨  太陽光発電をはじめとする新エネルギーやスマートグリッド、電気自動車などによる脱石油・省エネ社会への移行が世界的に注目され、大容量・低損失電力を変換・制御するIGBTなどのパワーモジュールの小型・軽量化、高耐熱化、高機能化、高信頼度化に対する要求が一段と高まっています。このような中、従来からのチップ技術の向上に加えて、パッケージ技術の向上が重要になって来ています。
 パッケージ技術としては、「接合」「接続」「封止」「高放熱」技術などが高性能化および信頼性向上の鍵を握る要素技術となっています。今後さらなる低損失化を実現するSiCパワーデバイスにおいても、高耐熱化、内部インダクタンスの低減などの確立が大きな課題となっています。
 本セミナーでは、IGBT、SiC-MOSなどを搭載した最新のパワーモジュールの組立・実装技術の動向について、詳細に解説します。  
プログラム

1 パワーモジュール組立・実装技術の現状と課題
 1.1 最新パワーモジュールの概要
  ・第7世代IGBT・逆素子IGBT(RB-IGBT)
  ・EV/EHV用IGBTモジュールなど
 1.2 パワーモジュール組立実装技術の変遷と展望
  ・接合
  ・封止
  ・放熱対策
 1.3 パワーモジュール組立実装技術の用途別課題
  ・太陽光・風力発電
  ・自動車・鉄道
  ・産業インフラ
  ・家庭用

2 パワーモジュールのノイズ・接合・封止・放熱対策の最前線
 2.1 接合技術の最新動向
 2.2 パワーデバイス用ボンディング技術の最新動向
 2.3 樹脂封止技術の最新動向
 2.4 パワー半導体冷却技術の最新動向

3 SiCパワーデバイス組立・実装技術の課題
 3.1 SiCパワーデバイスの最新パッケージ技術の紹介
 3.2 SiCパワーデバイスの実装上の課題
  3.2.1 低インダクタンス化技術
  3.2.2 低熱抵抗化技術
  3.2.3 高耐熱化技術
  3.2.4 高信頼性化技術

4 最新のCAE技術
5 まとめ

講 師高橋 良和 氏
富士電機株式会社 電子デバイス事業本部 開発統括部 技師長
会場オームビル 東京都千代田区神田錦町3-1

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受講料
(税込)
お1人様受講の場合46,000円(税別)/1名、1口でお申し込みの場合57,000円(税別)/1口
※ 本セミナーはEルメール案内価格の適用はございません。
※ 1口でのお申込みは1社3名まで受講でき、受講料が格安となります。

※ 1口でお申込みされる場合は、代表受講者を定めて下さい。 受講票発送等の連絡は代表受講者へ行ないます。申込時に参加者全員の氏名・所属が明記されていない場合、お席を用意できない場合があります。
※ 開催 7日前に受講票、会場地図、請求書を発送します。
備考①本セミナーの事務処理・受講券の発送等はトリケップスが行います。
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